RIE系列反應離子刻蝕設備 褪膜設備 降本增效、維護便捷

一、主要原理

• 通入刻蝕室的工藝氣體分子分解電離，產生等離子體；

• 由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發生化學反應；

• 通過脈沖/射頻電源，使等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理、化學相結合的方法對材料表面，進行清潔、改性、刻蝕的目的。

二、特點

1、超低刻蝕溫度

2、刻蝕多種膜層

3、降本增效、維護便捷

4、自主設計雙離子源，提高刻蝕效率

三、應用領域-可刻蝕材料：

· 可褪碳基薄膜，可作為DLC/Ta-C薄膜的褪膜機使用；

·可刻蝕材料:金屬，非金屬，合金，半導體(單晶硅、非晶硅、多晶硅、SOI)，金屬氧化物，氮化物碳化物，陶瓷，聚合物，超導材料等；

·可應用在:3C消費電子，半導體，光學，交通工具，刀具模具，家電，新能源，科研等行業。

注明：以上數據來源于安徽純源鍍膜科技有限公司- 材料實驗室檢測數據