反應離子刻蝕設備 退膜機
一、主要原理:
· 通入刻蝕室的工藝氣體分子分解電離,產生等離子體;
· 由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發生化學反應;
·通過脈沖/射頻電源,使等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊,從而以物理、化學相結合的方法對材料表面,進行清潔、改性、刻蝕的目的。
二、應用領域-可刻蝕材料:
· 可褪碳基薄膜,可作為DLC/Ta-C薄膜的褪膜機使用;
·可刻蝕材料:金屬,非金屬,合金,半導體(單晶硅、非晶硅、多晶硅、SOI),金屬氧化物,氮化物碳化物,陶瓷,聚合物,超導材料等;
·可應用在:3C消費電子,半導體,光學,交通工具,刀具模具,家電,新能源,科研等行業。
注明:以上數據來源于安徽純源鍍膜科技有限公司- 材料實驗室檢測數據
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